导读：根据市场研究公司Web-Feet Research预测，到2012年电荷捕获型(trapped charge)和相变(phase change)内存会超过其他闪存，在全部565亿美元内存市场中占据30.7%的比例。 　　电荷捕获型内存，主要是NROM，2006年占237亿美元闪存市场份额的6.1%。但是随着

根据市场研究公司Web-Feet Research预测，到2012年电荷捕获型(trapped charge)和相变(phase change)内存会超过其他闪存，在全部565亿美元内存市场中占据30.7%的比例。

　　电荷捕获型内存，主要是NROM，2006年占237亿美元闪存市场份额的6.1%。但是随着SONOS NAND型闪存的变种TANOS和BE-SONOS进入NAND市场，预计这部分市场将大大增加。

　　Web-Feet Research技术研究副总裁Gregory Wong表示，“当浮栅闪存技术遭遇到40纳米以下的挑战时，电荷捕获和相变技术可以延续NAND和NOR闪存。”浮栅技术中电荷储存在多晶硅层，而在以SONOS为基础的电荷捕获技术中，电荷储存在不导电的氮化物材料层之间。

　　当前，大多数电荷捕获型内存用于NOR闪存的代码存储，在2006年占全部NOR闪存市场的15.7%，预计到2012年将达到28.1%。

　　NAND闪存市场中电荷捕获型内存预计变化更显著，预计2012年将增加到30%的份额，而目前这个比例还不到1%。相变内存预计到2012年将占据5.5%的NOR闪存市场。


内存闪存捕获相变